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全自动立式氧化/扩散炉
主要用于半导体集成电路、电力电子(IGBT)、微机械(MEMS)、光伏电池(Photovoltaic)制造等领域，适用6~12英寸工艺尺寸扩散、氧化、工艺。
所属分类：
关键词：半导体专用设备
产品描述
用途介绍：
主要用于半导体集成电路、电力电子(IGBT)、微机械(MEMS)、光伏电池(Photovoltaic)制造等领域，适用6~12英寸工艺尺寸扩散、氧化、工艺。
产品功能：
扩散/氧化炉是半导体生产重要工艺，扩散是在高温条件下，利用热扩散原理将杂质元素按要求的深度掺入硅衬底中，使其具有特定的浓度分布，达到改变材料的电学特性，形成半导体器件结构的目的。可用于制作PN结或构成集成电路中的电阻、电容、二极管和晶体管等器件。氧化是将硅片放置于氧气或水蒸气的氛围中进行高温热处理，在硅片表面形成氧化膜的过程，可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层、表面钝化、器件结构的介质层等。
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设备 |
可满足闭管干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化工艺 |
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采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化； |
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具有友好的人机界面，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态； |
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具有多种工艺管路，可供用户方便选择； |
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具有强大的软件功能，配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间； |
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恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度； |
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具有超温、断偶、热偶短路、工艺气体流量偏差报警和保护功能； |
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可根据用户要求定制产品。 |
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