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氨气反转炉
主要应用于化合物半导体，金属电极，互联线是用金属剥离工艺，使光刻胶呈现倒梯形形貌，正常采用负胶工艺实现，因负胶有一定工艺难度和局部缺陷，例如分辨率不高，线宽均一性不好，倒梯形角度不稳定等因素。
所属分类：
关键词：半导体专用设备
产品描述
应用介绍：
主要应用于化合物半导体，金属电极，互联线是用金属剥离工艺，使光刻胶呈现倒梯形形貌，正常采用负胶工艺实现，因负胶有一定工艺难度和局部缺陷，例如分辨率不高，线宽均一性不好，倒梯形角度不稳定等因素。行业内大多采用氨气条件反转工艺，使用酚醛树脂基的正胶，正胶曝光后会产生羧酸，氨气中和酸，再进行一次全面曝光，显影后就可以形成倒梯形形貌，同时又保留正胶的分辨率和线宽稳定性。
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真空度 |
150Pa;采用真空泵； |
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加热方式 |
腔体外侧四周加热； |
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温度 |
RT+10℃～ 200℃；微电脑温度控制器，控温精确可靠； |
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控温精度 |
±2%℃（150℃内）； |
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氨气反转工艺 |
升温达到设定值-抽真空-达到设定值-充氨气-取产品-取后曝光机反面曝光。 |
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主要特点 |
箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。工作室采用不锈钢板制成，电解抛光，确保产品经久耐用。 |
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